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GC関係の用語はかっこいいのが多い
ASUS ZenFone 2 の Android M (6.0) アップグレードは遅延
2016 Q2 には (すなわち6月中には) アップグレードするという話だったのですが、どうやら遅延しているようです。以下はフィリピン版の ZenTalk のスレです。
There has been some changes in the upgrade timeline [ source], they have changed the initial timeline to "from 2nd quarter of 2016" (April onwards). We apologize for any delays that may occur on the update rollout for the following ASUS ZenFone models:
- PadFone S (PF500KL)
- ZenFone 2 Laser 6-inch (ZE601KL)
- ZenFone Selfie (ZD551KL)
- ZenFone 2 5.5-inch (ZE550ML, ZE551ML)
- ZenFone 2 Deluxe (ZE551ML)
- ZenFone 2 Deluxe Special Edition (ZE551ML)
- ZenFone Zoom (ZX551ML)
The Android M (6.0) upgrade has arrived for these ZenFone models:
- ZenFone 2 Laser 5-inch (ZE500KL)
- ZenFone 2 Laser 5.5-inch/5.5 S (ZE550KL)
- ZenFone Max (ZC550KL)
どこが最新の情報なのかよくわかりませんが、このトピックは6/27に更新されていて Sticky にも設定されているので、たぶんこれは最新の情報なのでしょう。一部モデルについてはリリース済みですが、他のモデルは遅延するみたいです。ここで "they have changed..." と言ってますが、これを投稿しているのはフィリピンの担当者のようなので、たぶん they というのはアップグレード担当部門のことを言っていると思われます (違う?)
Global 版 ZenTalk だと特別新規のアナウンスはなくて、27/06/2016 . no Android M. というスレで約束は守られるのかとちょっと燃えてます。というのも、元々アップグレードプランのスレの文言は以下のようなものでした。
The following ASUS ZenFone models will receive the Android M (6.0) upgrade in Q2 of 2016
これが
The following ASUS ZenFone models will receive the Android M (6.0) upgrade starting from Q2 of 2016:
と変わっており (フォーラムのタイムスタンプを見ると 2016/6/28 04:59)、Q2 以降という内容に変わっています。フィリピン版のスレの冒頭はこの文言変更についての言及のようです。
遅延自体はともかく、アナウンスするのに元スレッド書き変えというのはいただけないと思います。普通に考えると新規にスレ立ててアナウンスすべきでしょう。フィリピン版は担当者の裁量?で一応まともなアナウンスが出てるので、Global 版もそのようにしてほしい感じがします。
ここ半月ぐらい毎日アップグレードの確認をしてきましたが、どうも無駄だったみたいなので残念です。いつになるんでしょうね。
電源 VRM フェーズ数ってなんなのか
PC関係だとよく VRM (Voltage Regulator Module) フェーズ数という用語にでくわす。マザーボードやグラフィックボードのレビューを見ると「電源は6+1フェーズ」とかと書いてある。特に説明もないので意味不明である。
結論
先に結論を書くと、フェーズ数は多ければ多いほど良いというものではない。それに電源回路の良し悪しはフェーズ数で決まるわけではない。そういうものなので、こういう表記を見ても無視して良い。
マルチフェーズ同期整流
フェーズ数を理解するためには、マルチフェーズ同期整流について理解しないといけない。そもそもここでいう「電源回路」は定電圧 DC/DCコンバータのことで、外部供給の12VをCPUにあうように低電圧(そして大電流)に変換することを言っている。
同期整流はローサイド(負荷に対してマイナス側)もハイサイド(同じくプラス側)もFETでスイッチすることによって高効率に整流を行うことをいう。このとき、スイッチングによって出力にリプルが発生する。そこで、ハイサイドFET・ローサイドFETのスイッチのセットを複数に増やして、それぞれのスイッチを少しずつ位相(フェーズ)をずらして整流させることで、よりリプルが少なく安定した定電圧電源とすることができる。
つまり「VRM フェーズ数」の「フェーズ」とは「位相」のことになる。1フェーズにつき少なくともFET 2つと、スイッチングコントローラ回路が1つと必要になる。(ただしフェーズが増えてなくてもFETのペアの数をフェーズとしてカウントする間違った宗派もあるっぽい)
基本的にはフェーズ数が多いほうが高級とされている。部品点数が増えるので価格が高くなる。フェーズ数が多いことの利点としては
- 電源供給が安定する
- FET 1つあたりの電流を減らせる
- 発熱が分散するので放熱しやすい
- 部品の高さを抑えられる
欠点は
- 部品点数が多いので
- 価格が高くなる
- 故障率が上がる
- スイッチング損が増え、効率が下がる (特に低電流時)
回路まわりは、これが図ありでわかりやすい。
6+1 とか 8+2 って表記は何なの?
マルチフェーズ同期整流についてわかっても、この表記は意味不明。
結論からいうと前の数字がCPU(GPU)コア用の電源のフェーズ数 (大電力) で、後と数字はCPU(GPU)のコア以外用のフェーズ数のようだが、この表記を誰が決めて使ってるのかさっぱりわからない。(ソースを探したけどわからなかった)
フェーズ数以外のVRMの要素
- FETの数や性能
- 具体的にはオン抵抗、並列にすれば減らせるが部品は増える
- 同期整流コントローラの性能
- 負荷追従性など
- PWM 周波数
- 高いほどコイルが小さくでき負荷追従性が上がるが、FETでのスイッチング損失が増えて効率が下がる。ノイズにも関係ある。
- コイルの性能 (Q値)
- コイルの直流抵抗値が低いほど低損失だが部品が大きくなる
- コアの材質でも損失が出る
- コンデンサの性能
- ESR (等価直流抵抗) が低いほど負荷追従性が高く、リプルが減る
ちょっと考えただけでもいろいろ要素がありすぎるので、フェーズ数だけで何かを判断することはできない。
所感
最近のマザーボードは重要な機能はチップセットに殆ど統合されたしまったので、表面にほとんど部品が載ってない。そうすると見た目的にインパクトがあるのが電源回路だけになる。
マルチフェーズにするとFETとコイルが並んでかっこいいので、マルチフェーズがもてはやされるみたいなところがありそう。インターフェイス (M2 とか PCI-E とか) が進化しても、マザーボードの見た目的にはインパクトがないんで、電源を盛るみたいなことだと思う。